Rabitə və İnformasiya Texnologiyaları Nazirliyinin elektron xəbər xidməti

Samsung выпустила первые в мире 10 нм чипы


Samsung Electronics приступила к массовому производству 10 нм чипов с использованием технологии FinFET. Согласно сообщению компании, это первые в мире микросхемы, созданные в топологии 10 нм.

Компания сообщила, что чипы будут использованы при создании нового устройства, релиз которого состоится в начале 2017 г. Samsung не уточнила, что это будет за устройство, однако, скорее всего речь идет о смартфоне Galaxy S8.

Ранее корейское издание Electronic Times сообщало, что Samsung станет единственным подрядчиком по производству высокопроизводительных чипов Qualcomm Snapdragon 830 с применением 10-нм технологического процесса. Чипы будут использованы в половине смартфонов Galaxy S8.

Samsung обещает, что 10 нм чипы будут на 27% более производительными, чем 14 нм. При этом потребление энергии снизится на 40%. Также на одной полупроводниковой плате можно будет разместить на 30% больше чипов, сообщает Cnews.ru.





17/10/16    Çap et