“Galaxy S10” çox sürətli yaddaş çipi ilə təchiz ediləcək ilk smartfon olacaq
Cənubi Koreyanın elektronika nəhəngi növbəti nəsil qabaqcıl smartfonun xüsusiyyətləri haqda məlumat verib.
“ICTnews” Elektron Xəbər Xidməti “
life.ru” saytına istinadən yazır ki, “Samsung Galaxy S10” smartfonu çox sürətli “UFS 3.0” fləş yaddaşı ilə təchiz ediləcək. Bu haqda istehsalçı “Qualcomm 4G/5G Summit” konfransında bildirib.
“Galaxy S10” aparatı dünyada belə çiplə təchiz edilmiş ilk smartfon ola bilər. Məlumat üçün, cari ilin əvvəlində təqdim edilmiş “UFS 3.0” fləş yaddaşı məlumatların yüksək sürətlə (11,6 Qbit/s) ötürülməsi ilə səciyyələnir.
“Galaxy S10” seriyası 2019-cu ilin fevralında keçiriləcək “MWC” sərgisində təqdim ediləcək.
Emil Hüseynov