Galaxy S10 станет первым смартфоном со сверхбыстрым чипом памяти

Корейский электронный гигант рассказал об особенности флагмана следующего поколения.

Samsung Galaxy S10 получит сверхбыстрый чип флеш-памяти UFS 3.0. Об этом сообщил производитель на конференции Qualcomm 4G/5G Summit.

Флагман может стать первым в мире смартфоном с таким чипом. Напомним, UFS 3.0 представили в начале года. Он отличается повышенной скоростью передачи данных (11,6 Гбит/с).

Серию Galaxy S10 представят в феврале 2019 года на выставке MWC, сообщает Life.ru.