Yeni nəsil “Samsung” yaddaş kartının kütləvi istehsalına başlanılıb

"Samsung Electronics" şirkəti yeni nəsil mobil qurğular üçün nəzərdə tutulan "eUFS 3.0" standartlı 512 giqabaytlıq ilk fləş-yaddaşın kütləvi istehsalına başlayıb. "eUFS 2.1" tipli yaddaşla müqayisədə məlumatların ötürülmə sürəti 2 dəfədən çox artıb. Bundan başqa, şirkət daha böyük tutumlu analoji çiplərin buraxılışı üzrə planlarını açıqlayıb.

"ICTnews" Elektron Xəbər Xidməti "4PDA" resursuna istinadən yazır ki, 512 giqabaytlıq "Samsung eUFS 3.0" yaddaş çipləri inteqrasiya edilmiş yüksək məhsuldarlığa malik 512 giqabitlik 8 beşinci nəsil "V-NAND" kristaldan ibarətdir. Məlumatların maksimal ötürülmə sürəti 2100 meqabit/saniyəyədək artıb. Müqayisə üçün qeyd edək ki, 1 terabaytlıq "Samsung eUFS 2.1" çipi informasiyanı 1000 meqabit/saniyə ötürülmə sürətində dəstəkləyir. Belə oxuma sürəti "SATA" (SSD) bərk cisimli toplayıcısını 4 dəfə, adi "microSD" kartını isə 20 dəfə üstələyir. Ardıcıl yazma sürəti hazırda 410 meqabit/saniyə təşkil edir ki, bu da "SATA" (SSD) bərk cisimli toplayıcısına bərabərdir. Sərbəst oxuma və yazma sürəti 36 faiz yüksəlib.

Yeni yaddaş çipi ilə təchiz ediləcək ilk qurğulardan birinin "Galaxy Fold" smartfonu olacağı gözlənilir. Bundan əlavə, ilin ikinci yarısında şirkət 128 giqabaytlıq və 1 terabaytlıq "eUFS 3.0" modullarının kütləvi istehsalına başlamağı planlaşdırır.

Nizam Nuriyev