Samsung запустила массовое производство памяти нового поколения

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли флеш-памяти стандарта eUFS 3.0 на 512 ГБ. Она предназначена для мобильных устройств нового поколения. В сравнении с памятью типа eUFS 2.1 скорость передачи выросла более чем в два раза. Кроме того, Samsung раскрыла планы по выпуску аналогичных чипов ещё большей ёмкости.

Чипы памяти Samsung eUFS 3.0 на 512 ГБ состоят из восьми 512-гигабитных (Гбит) V-NAND кристаллов пятого поколения с интегрированным высокопроизводительным контроллером. Максимальная скорость передачи данных выросла до 2100 МБ/с. Для сравнения, чип Samsung eUFS 2.1 на 1 ТБ поддерживает передачу информации на скорости до 1000 МБ/с. Такая скорость чтения в четыре раза выше, чем у твердотельного накопителя SATA (SSD), и в 20 раз выше, чем у обычной карты microSD. Скорость последовательной записи теперь составляет 410 МБ/с, что эквивалентно SATA SSD. Скорость произвольного чтения и записи выросла на 36%.

Одним из первых устройств с новым чипом памяти должен стать смартфон Galaxy Fold. Кроме того, во второй половине года компания планирует начать производство модулей eUFS 3.0 на 128 ГБ и 1 ТБ, сообщает 4PDA.