Rabitə və İnformasiya Texnologiyaları Nazirliyinin elektron xəbər xidməti

İşıq saçan silisium mikrosxemləri 1000 dəfəyədək sürətləndirəcək


Silisium əsasında yarımkeçiricilərin hazırlanma texnologiyası artıq öz imkanları hüduduna çatıb. Texnoloji prosesin sonrakı kiçilməsi elektronlar tərəfindən ayrılan istiliklə məhdudlaşır. Niderlanddan olan tədqiqatçılar bu çatışmazlıqdan məhrum olan ucuz alternativ tapmaq üçün çoxsaylı cəhdlərdən sonra elektronların əvəzinə işıq fotonlarından istifadə edən silisium ərinti hazırlayıblar.

 

“ICTnews” Elektron Xəbər Xidməti “4pda.ru” saytına istinadən yazır ki, elektronlardan fərqli olaraq fotonlar çəkiyə malik deyil, deməli, müqavimət göstərmir və istilik ayrılmır. Bu, mikrosxem daxilində məlumat mübadiləsinin sürətinin 1000 dəfəyədək artmasına səbəb olacaq, həmçinin enerji istehlakını xeyli azaldacaq.

 

Keçirilmiş sınaqlar yeni silisium ərintisinin effektiv işıq saçdığını təsdiq edib.

 

Emil Hüseynov






13/04/20    Çap et