IBM совершила очередной прорыв в компьютерной памяти

Ученые из исследовательских центров IBM в США и Швейцарии впервые в лабораторных условиях смогли создать фазовую память с многоуровневыми ячейками, способную хранить информацию длительное время.
Об этом сообщается в материалах компании. Фазовая память или память с изменением фазового состояния (Phase Change Memory, PCM) основана на изменении структуры вещества при изменении температуры. В фазовой памяти используется халькогенид, вещество, которое при нагреве (при приложении напряжения) меняет свою структуру с кристаллической (с маленьким электрическим сопротивлением) на аморфную (с большим сопротивлением) и обратно.
В современной флэш-памяти данные хранятся в ячейках в виде электрического заряда. Первоначально ученые создали память, способную хранить по одному биту данных в ячейке - 00 и 01. Впоследствии они выяснили, что в зависимости от величины приложенного напряжения количество молекул, перешедших из одного состояния в другое, различно. Эту особенность исследователи использовали для того, чтобы записать в ячейку несколько битов данных. Определив четыре состояния, они смогли записать значения 00, 01, 10 и 11, то есть два бита.
Проблема заключалась в том, что из-за «релаксации» атомов в аморфном состоянии со временем сопротивление вещества повышалось. Это приводило к возникновению ошибок, например, 01 мог «смениться» на 10, а 10 - на 11. Для решения этой проблемы в IBM разработали специальную технику кодирования информации, в основу которой лег принцип того, что относительный порядок запрограммированных ячеек с различными уровнями сопротивления со временем остается неизменным.

---