Rabitə və İnformasiya Texnologiyaları Nazirliyinin elektron xəbər xidməti

Samsung sürətli 20 nm fleş-yaddaşı hazırlayır


Samsung şirkəti tez-tez yaddaş mikrosxemləri sahəsində unikal məhsullar təqdim edir. Bununla, böyük şirkət rəqiblərdən geri qalmadan texnoloji "dalğa zirvəsində" qalmağa müvəffəq olur. Hazırda Samsung 20 nm texproses normalar üzrə yerinə yetirilmiş 64 Qbit sıxlıqlı yeni NAND fləş-yaddaşlarının yeni mikrosxemlərinə qlobal keçid haqqında plan qurur.
Bu qurğuda informasiyanın ötürülməsi sürəti əhəmiyyətli dərəcədə yüksəkdir. 400 Mbit/s-ə qədər sürətlə məlumatı ötürmək mümkün olacaq ki, bu da sələflərdən 10 dəfə daha sürətlidir.
Böyük tutum və sürətli iş təklif edən yeni yaddaş mikrosxemləri smartfonlarda, planşetlərdə, SSD-də və digər oxşar qurğularda quraşdırılacaqdır. Artıq yeni tip NAND fləş yaddaşlarına keçidə az qalıb. Qeyd edək ki, iSuppli şirkətinin proqnozuna görə 2012-ci ildə bazarda liderlik edən çiplər 64 Qbit sıxlıqlı mikrosxemlər olacaqdır.






01/06/11    Çap et