Enerjidən asılı olmayan yaddaş hazırlanır
“Toshiba” və “Hynix” şirkətləri birlikdə sərbəst girişlə maqnitədavamlı yaddaşın (MRAM) istehsalat texnologiyasını hazırlayacaqlar. Maqnit məqamları vasitəsilə informasiyanı saxlayan MRAM yaddaşı dinamik və fləş yaddaşların üstünlüklərini özündə birləşdirir. MRAM mikrosxemləri enerjidən asılı deyil. Belə ki, məlumatları təchizat olmadan da saxlaya bilərlər. Bundan başqa, fləş yaddaşdan fərqli olaraq, MRAM xarakteristikaları istismar müddətində zəifləmir.
MRAM yaddaşı öz universallığı sayəsində, gözlənildiyi kimi, ən müxtəlif qurğularda - smartfonlar və fərdi kompyuterlərdən məişət texnikasına qədər tətbiq olunacaq. “Hynix” və “Toshiba” şirkətləri MRAM çiplərinin kütləvi istehsalının başlanğıc müddətlərini bildirmirlər.
NRYTN
TEXNOLOJİ YENİLİKLƏR
POÇT
XƏBƏRLƏR
HAQQIMIZDA
İKT
ŞAD KODLARI
TANINMIŞLAR
MÜSAHİBƏLƏR
MARAQLI
TƏHLİL
