Yaddaş toplayıcısından min dəfə sürətli və uzunömürlü qurğu istehsal olunacaq
“Intel” şirkəti 2016-cı ilin dördüncü rübündə “Optane” əmtəə nişanı ilə bərk cisimli toplayıcıların (SSD) istehsalına başlamaq niyyətindədir. “NVMe” protokolu ilə işləyəcək qurğu dörd xətli “PCI Express 3” protokoluna qoşulmaq üçün nəzərdə tutulub. Bu barədə Tayvanın “benchlife.info” saytı şirkətin daxili təqdimatına əsasən məlumat verib.
“ICTnews” Elektron Xəbər Xidməti “CNews” resursuna istinadən yazır ki, istehlak və korporativ bazarlar üçün nəzərdə tutulan qurğular "Mansion Beach”, “Stony Beach” kodu ilə adlanacaq.
Bildirilir ki, təxminən 2017-ci ilin birinci rübündə “Intel” iki xətli “PCI Express 3” protokolunu dəstəkləyən “Brighton Beach” toplayıcılarını buraxmağı, həmin ilin ortalarında isə “Mansion Beach” toplayıcısını yeniləməyi və korporativ bazar üçün “Carson Beach” kod adı ilə yeni nəsil “Optane” toplayıcılarını təqdim etməyi planlaşdırır. “Carson Beach” qurğuları “M.2” kompakt kompüter kart xüsusiyyətlərinə əlavə olaraq "BGA” form-faktorunda yaradılacaq.
Təqdimatda istehlak qurğularının hansı form-faktorda olacağı barədə məlumat verilmir.
Məlumata görə, “Optane” toplayıcıları “Intel”in 2015-ci ilin iyulunda “Micron Technology” şirkəti ilə birlikdə nümayiş etdirdiyi “3D XPoint” yaddaş texnologiyasına əsaslanır. “Micron Technology” nümayəndələrinin sözlərinə görə, “3D XPoint” müasir elektronikada hər yerdə istifadə olunan “NAND” tipli yaddaş toplayıcısı ilə müqayisədə 1000 dəfə sürətli və bir o qədər uzunömürlüdür, eləcə də müasir kompüter yaddaşına nisbətdə 10 dəfə daha çox sıxlığa malikdir.
"3D XPoint” yaddaşında “NAND” yaddaşda olduğu kimi, tranzistorlardan istifadə əvəzinə elektrik cərəyanının keçməsi zamanı fiziki xüsusiyyətlərini dəyişən materialdan hazırlanan özəklər tətbiq edilib. Belə yaddaş həm də fazalı yaddaş adlanır. O, yaddaş toplayıcısı kimi enerjidən asılı deyil, lakin eyni zamanda “NAND” yaddaşdan sürətli və operativ yaddaş qurğusunda istifadə edilən “DRAM” yaddaşdan istehsalı ucuzdur.
Qeyd edək ki, ilk dəfə fazalı yaddaş texnologiyası “Intel” yaradıcılarından biri Qordon Mur tərəfindən 1970-ci ildə “Electronics” jurnalında təsvir edilib. 2008-ci ildə şirkət yeni texnologiya əsasında informasiya saxlama qurğularının sınaq nümunələrini istehsal edib.
