Enerjidən asılı olmayan yaddaş kartının istehsalı üzrə yeni texnoloji proses yaradılıb
"IBM" və "Samsung" şirkətləri "NAND" yaddaş toplayıcısından 100 min dəfə sürətli işləyən, oxuma və yazma üçün məhdudiyyətsiz dövrəyə malik enerjidən asılı olmayan yaddaş kartının istehsalı üzrə texnoloji prosesin yaradılmasını bəyan ediblər.
"ICTnews" Elektron Xəbər Xidməti "Computerworld" resursuna istinadən yazır ki, şirkətlər birgə səylərlə "STT" (spin-transfer torque) texnologiyasından istifadə edərək yeni nəsil maqnitorezistiv yaddaş kartları (MRAM) hazırlayırlar. Bu, hazırda məlumatların saxlanılması üçün "NAND" yaddaş kartının istifadə olunduğu "Əşyalar interneti" texnologiyası cihazları, daşınan qurğular və mobil texnika üçün kiçik tutumlu daha effektiv yaddaş mikrosxemləri yaratmağa imkan verəcək.
Bildirilir ki, "IBM" və "Samsung" ilk dəfə layihələndirmə normasını impulsun 10 nanosaniyə davam etməsi və 7,5 mikroamperi ötməyən cərəyan gücü ilə 11 nanometrədək azaltmağa nail olub. Mütəxəssislərin sözlərinə görə, bu, böyük uğurdur.
"NAND" yaddaş kartları məlumatların yazılması üçün 1 milli-saniyə tələb etdiyi halda "MRAM" kartlarında bu prosedur üçün cəmi 10 nanosaniyə lazımdır. Beləliklə, "MRAM" yaddaşı yazılma sürətinə görə "NAND" toplayıcısını 100 min dəfə və oxunma sürətinə görə 10 dəfə üstələyir.
Bununla belə, yaxın gələcəkdə "STT MRAM" yaddaşının "DRAM" mikrosxemlərini əvəzləyəcəyi gözlənilmir.
Nizam Nuriyev
NRYTN
TEXNOLOJİ YENİLİKLƏR
POÇT
XƏBƏRLƏR
HAQQIMIZDA
İKT
ŞAD KODLARI
TANINMIŞLAR
MÜSAHİBƏLƏR
MARAQLI
TƏHLİL
