“Galaxy S10” çox sürətli yaddaş çipi ilə təchiz ediləcək ilk smartfon olacaq
Cənubi Koreyanın elektronika nəhəngi növbəti nəsil qabaqcıl smartfonun xüsusiyyətləri haqda məlumat verib.
“ICTnews” Elektron Xəbər Xidməti “life.ru” saytına istinadən yazır ki, “Samsung Galaxy S10” smartfonu çox sürətli “UFS 3.0” fləş yaddaşı ilə təchiz ediləcək. Bu haqda istehsalçı “Qualcomm 4G/5G Summit” konfransında bildirib.
“Galaxy S10” aparatı dünyada belə çiplə təchiz edilmiş ilk smartfon ola bilər. Məlumat üçün, cari ilin əvvəlində təqdim edilmiş “UFS 3.0” fləş yaddaşı məlumatların yüksək sürətlə (11,6 Qbit/s) ötürülməsi ilə səciyyələnir.
“Galaxy S10” seriyası 2019-cu ilin fevralında keçiriləcək “MWC” sərgisində təqdim ediləcək.
Emil Hüseynov
NRYTN
TEXNOLOJİ YENİLİKLƏR
POÇT
XƏBƏRLƏR
HAQQIMIZDA
İKT
ŞAD KODLARI
TANINMIŞLAR
MÜSAHİBƏLƏR
MARAQLI
TƏHLİL
