Galaxy S10 станет первым смартфоном со сверхбыстрым чипом памяти
Корейский электронный гигант рассказал об особенности флагмана следующего поколения.
Samsung Galaxy S10 получит сверхбыстрый чип флеш-памяти UFS 3.0. Об этом сообщил производитель на конференции Qualcomm 4G/5G Summit.
Флагман может стать первым в мире смартфоном с таким чипом. Напомним, UFS 3.0 представили в начале года. Он отличается повышенной скоростью передачи данных (11,6 Гбит/с).
Серию Galaxy S10 представят в феврале 2019 года на выставке MWC, сообщает Life.ru.
МТСВТ
ИКТ
ТЕXHОЛОГИЧЕСКИЕ HОBШЕСТBA
ПОЧТА
О НАС
НОВОСТИ
ИНТЕРЕСНО
ИНТЕРВЬЮ
АНАЛИТИКА
