Исследовательская команда Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) совместно с Ульсанским национальным институтом науки и технологии (UNIST) и Кембриджским университетом объявили об открытии нового материала — аморфного нитрида бора (a-BN). По заверениям компании, данная находка вполне может ускорить появление полупроводников следующего поколения.
По словам исследователей, аморфный нитрид бора имеет лучшую в своём классе сверхнизкую диэлектрическую проницаемость 1,78. Кроме того, данный материал характеризуется сильными электрическими и механическими свойствами. Он может использоваться в качестве изоляции в соединениях для минимизации электрических помех.
Новый материал можно производить в весьма больших масштабах при относительно низкой температуре в 400 °C. В Samsung намерены начать использовать аморфный нитрид бора для создания модулей оперативной (DRAM) и постоянной (NAND) памяти, однако говорить о сроках появления готовой продукции пока ещё рано, сообщает 4pda.ru.