Samsung удалось создать первый мобильный модуль памяти LPDDR4 на 8 ГБ
Компания Samsung представила первый мобильный модуль оперативной памяти типа LPDDR4 объёмом 8 ГБ с использованием четырёх новейших 16-гигабитных чипов, выполненных по 10-нм техпроцессу. Эта память имеет низкое энергопотребление и удвоенную скорость передачи. Она позволяет передавать данные на скорости до 4 266 Мбит/с, что в два раза быстрее в сравнении с DDR4 SDRAM-памятью для персональных компьютеров, которая, как правило, работает на скорости до 2 133 Мбит/с. Samsung считает, что новая память значительно улучшит опыт использования мобильных устройств.
Ключевые особенности новых модулей памяти:
· изготовление по 10-нм техпроцессу;
· передача данных на скорости до 4 266 Мбит/с, что на 20% выше в сравнении с аналогичным чипом, выполненным по 20-нм техпроцессу;
· в два раза быстрее DRAM-памяти типа DDR4 для персональных компьютеров;
· размер чипа всего 15х15х1 мм, сообщает 4pda.ru.
МТСВТ
ИКТ
ТЕXHОЛОГИЧЕСКИЕ HОBШЕСТBA
ПОЧТА
О НАС
НОВОСТИ
ИНТЕРЕСНО
ИНТЕРВЬЮ
АНАЛИТИКА
