12px13px15px17px
Tarix:07/10/15

Türkiyədə keçirilən beynəlxalq konfransda Azərbaycanın nanotexnologiyalar üzrə apardığı araşdırmalar barəsində məlumat verilib

Türkiyənin İstanbul şəhərində 7-ci Beynəlxalq LED və LED işıqlandırma konfransı keçirilib. Bu ayın 1-4 tarixlərində düzənlənən tədbirdə Rabitə və Yüksək Texnologiyalar Nazirliyinin nəzdində fəaliyyət göstərən Yüksək Texnologiyalar üzrə Tədqiqat Mərkəzinin əməkdaşı Rasim Cabbarov iştirak edib.
 
 
 Konfransda LED çip texnologiyası və tətbiqləri mövzusunda plenar iclasda məruzə ilə çıxış edən R.Cabbarov tədbir iştirakçılarının diqqətini daxili kvant effektivliyinin azalmasına yönəldib.
 
 
O bildirib ki, “InGaN” kvant çuxurlu LED –lərin dalğa uzunluğu yaşıl oblasta tərəf sürüşdükcə onların daxili kvant effektivliyi azalır və bu da hazırkı araşdırmaların aktual problemi olaraq (“yaşıl zona problemi” ) intensiv tədqiq olunur. Bu problemin iki əsas səbəb nəticəsində yarandığını önə çəkən R.Cabbarovun sözlərinə görə, onlardan biri uzun dalğa oblastlı “InGaN” kvant çuxurunda indium atomlarının miqdarı artdıqca qəfəs parametrlərinin uyğunsuzluğunun artmasıdır. Bu da öz növbəsində deffektlərin sıxlığını artırır və şüalanmasız keçidləri sürətləndirir. Digər ikinci səbəb isə qəfəs parametrlərinin uyğunsuzluğunun kvant çuxurunun deformasiyasına gətirib çıxarmasıdır.
 
 
R.Cabbarov qeyd edib ki, “GaN”, “InN”, “AlN”  birləşmələrində N – atomları güclü pyozeelektrik olduqlarından  daxili elektrik sahəsi yaradır. Bu da elektron və deşiklərin dalğa funksiyalarının kəsişməsini azaldır. O üzdən rekombinasiya şüalanma sürəti azalır ki, bu da yaşıl oblastda daxili kvant effektivliyinin artmasına imkan vermir. Alimlərin bu istiqamətdə qarşılaşdığı problemlərdən çıxış yollarını açıqlayan R.Cabbarov hesab edir ki, çıxış yolu kimi (11-22) istiqamətində yarımpolyar “InGaN/GaN” və “InGaN/InGaN” kvant çuxurlu LED strukturları yetişdirilir və tədqiq olunur:
 
“Bu da bizə sadaladığımız problemləri aradan qaldırmağa imkan verir.  Alınan strukturda TEM analizləri aparılmışdır”.
 
 
Yüksək Texnologiyalar üzrə Tədqiqat Mərkəzinin əməkdaşı daha sonra əlavə edib ki, epitaksial təbəqələr optik litoqrafiya, quru aşılama, dielektrik maska texnologiyalarının vasitəsilə hazırlandıqdan sonra  aşağı təzyiqli MOCVD reaktorunda yetişdirilərək  yarımpolyar LED strukturu şəklini alır. Onun sözlərinə görə, alınan LED strukturunun daxili kvant effektivliyi,  PL,  EL  xassələri tədqiq olunub.
 
 
Qeyd edək ki, bu konfrans hər il İstanbulda düzənlənir və əməkdaşlar hər il məruzə ilə çıxış edirlər.
 
 
Ümumiyyətlə, konfrans LED çip və LED aydınlatmasını tam əhatə edir və beynəlxalq sərgi ilə nümayiş olunur  (www.ledkonferansi.com) .
 
Məlumat üçün bildirək ki, konfrans “VESTEL” və “PELSAN” şirkətlərinin platin sponsorluğu ilə baş tutub.
 
 
Seymur Qasımbəyli



Baxış sayı: 463

© İstifadə edilərkən İctnews-a istinad olunmalıdır

Facebook Google Favorites.Live BobrDobr Delicious Twitter Propeller Diigo Yahoo Memori MoeMesto






20 Fevral 2017

20/02/17
Mobil qurğuların ictimai yerlərdə enerji ilə doldurulması fərdi məlumatlar üçün təhlükəlidir

İctimai yerlərdə aktiv yayılan smartfon və digər cihazlar üçün enerjidoldurma qurğuları fərdi məlumatlar üçün 

20/02/17
Çin smartfonları ən güclü “Android” qurğularının reytinqində liderlik edir

“AnTuTu” şirkəti cari ilin 31 yanvarına olan vəziyyətə görə ən güclü mobil qurğuların reytinqini dərc edib. 

20/02/17
“Alphabet” internet paylayan stratostatların qlobal şəbəkəsindən imtina edib

ABŞ-ın “Alphabet Inc.” şirkəti “Loon” layihəsi çərçivəsində stratostatların qlobal yerdəyişməsi konsepsiyasından

19 02 2017