12px13px15px17px
Tarix:07/10/15

Türkiyədə keçirilən beynəlxalq konfransda Azərbaycanın nanotexnologiyalar üzrə apardığı araşdırmalar barəsində məlumat verilib

Türkiyənin İstanbul şəhərində 7-ci Beynəlxalq LED və LED işıqlandırma konfransı keçirilib. Bu ayın 1-4 tarixlərində düzənlənən tədbirdə Rabitə və Yüksək Texnologiyalar Nazirliyinin nəzdində fəaliyyət göstərən Yüksək Texnologiyalar üzrə Tədqiqat Mərkəzinin əməkdaşı Rasim Cabbarov iştirak edib.
 
 
 Konfransda LED çip texnologiyası və tətbiqləri mövzusunda plenar iclasda məruzə ilə çıxış edən R.Cabbarov tədbir iştirakçılarının diqqətini daxili kvant effektivliyinin azalmasına yönəldib.
 
 
O bildirib ki, “InGaN” kvant çuxurlu LED –lərin dalğa uzunluğu yaşıl oblasta tərəf sürüşdükcə onların daxili kvant effektivliyi azalır və bu da hazırkı araşdırmaların aktual problemi olaraq (“yaşıl zona problemi” ) intensiv tədqiq olunur. Bu problemin iki əsas səbəb nəticəsində yarandığını önə çəkən R.Cabbarovun sözlərinə görə, onlardan biri uzun dalğa oblastlı “InGaN” kvant çuxurunda indium atomlarının miqdarı artdıqca qəfəs parametrlərinin uyğunsuzluğunun artmasıdır. Bu da öz növbəsində deffektlərin sıxlığını artırır və şüalanmasız keçidləri sürətləndirir. Digər ikinci səbəb isə qəfəs parametrlərinin uyğunsuzluğunun kvant çuxurunun deformasiyasına gətirib çıxarmasıdır.
 
 
R.Cabbarov qeyd edib ki, “GaN”, “InN”, “AlN”  birləşmələrində N – atomları güclü pyozeelektrik olduqlarından  daxili elektrik sahəsi yaradır. Bu da elektron və deşiklərin dalğa funksiyalarının kəsişməsini azaldır. O üzdən rekombinasiya şüalanma sürəti azalır ki, bu da yaşıl oblastda daxili kvant effektivliyinin artmasına imkan vermir. Alimlərin bu istiqamətdə qarşılaşdığı problemlərdən çıxış yollarını açıqlayan R.Cabbarov hesab edir ki, çıxış yolu kimi (11-22) istiqamətində yarımpolyar “InGaN/GaN” və “InGaN/InGaN” kvant çuxurlu LED strukturları yetişdirilir və tədqiq olunur:
 
“Bu da bizə sadaladığımız problemləri aradan qaldırmağa imkan verir.  Alınan strukturda TEM analizləri aparılmışdır”.
 
 
Yüksək Texnologiyalar üzrə Tədqiqat Mərkəzinin əməkdaşı daha sonra əlavə edib ki, epitaksial təbəqələr optik litoqrafiya, quru aşılama, dielektrik maska texnologiyalarının vasitəsilə hazırlandıqdan sonra  aşağı təzyiqli MOCVD reaktorunda yetişdirilərək  yarımpolyar LED strukturu şəklini alır. Onun sözlərinə görə, alınan LED strukturunun daxili kvant effektivliyi,  PL,  EL  xassələri tədqiq olunub.
 
 
Qeyd edək ki, bu konfrans hər il İstanbulda düzənlənir və əməkdaşlar hər il məruzə ilə çıxış edirlər.
 
 
Ümumiyyətlə, konfrans LED çip və LED aydınlatmasını tam əhatə edir və beynəlxalq sərgi ilə nümayiş olunur  (www.ledkonferansi.com) .
 
Məlumat üçün bildirək ki, konfrans “VESTEL” və “PELSAN” şirkətlərinin platin sponsorluğu ilə baş tutub.
 
 
Seymur Qasımbəyli



Baxış sayı: 716

© İstifadə edilərkən İctnews-a istinad olunmalıdır

Facebook Google Favorites.Live BobrDobr Delicious Twitter Propeller Diigo Yahoo Memori MoeMesto






17 Dekabr 2018

17/12/18
“Samsung” smartfonları üçün yeni istifadəçi interfeysi buraxılıb

“Samsung” şirkəti yeni “One UI” istifadəçi interfeysinin videosunu dərc edib.

17/12/18
Britaniya aeroportunda ilk virtual dispetçer otağı istifadəyə verilib

Britaniyanın Krenfild Universitetinin Bedfordşirddə yerləşən aeroportu tamamilə rəqəmsal dispetçer mərkəzi 

17/12/18
Üz ifadəsinə görə parkinson xəstəliyinə diaqnoz qoyan “ağıllı” eynək təqdim edilib

2015-ci ildə təsis edilmiş “Emteq” şirkəti insan sifətinin hərəkətlərini müəyyənləşdirən daşınan qurğuların 

17/12/18
2019-cu ildə dünyada robotlaşdırılmış sistem və dronların alışına 115,7 milyard dollar xərclənəcək

“IDC” analitik şirkəti 2019-cu ildə dünyada robotlaşdırılmış sistem və dronların alış həcminin 

17/12/18
Yaponiyada sürücüsüz işləyən sərnişin avtobusları sınaqdan keçirilir

Yaponiyanın Qumma prefekturasında sürücüsüz işləyən sərnişin avtobuslarının real şəraitdə sınaqlarına 

17/12/18
Yeni texnologiya obyektləri nanoölçülərədək kiçildəcək

Massaçusets Texnologiya İnstitutunun (MIT) tədqiqatçıları üçölçülü strukturları nanoöl

16 12 2018