12px13px15px17px
Tarix:07/10/15

Türkiyədə keçirilən beynəlxalq konfransda Azərbaycanın nanotexnologiyalar üzrə apardığı araşdırmalar barəsində məlumat verilib

Türkiyənin İstanbul şəhərində 7-ci Beynəlxalq LED və LED işıqlandırma konfransı keçirilib. Bu ayın 1-4 tarixlərində düzənlənən tədbirdə Rabitə və Yüksək Texnologiyalar Nazirliyinin nəzdində fəaliyyət göstərən Yüksək Texnologiyalar üzrə Tədqiqat Mərkəzinin əməkdaşı Rasim Cabbarov iştirak edib.
 
 
 Konfransda LED çip texnologiyası və tətbiqləri mövzusunda plenar iclasda məruzə ilə çıxış edən R.Cabbarov tədbir iştirakçılarının diqqətini daxili kvant effektivliyinin azalmasına yönəldib.
 
 
O bildirib ki, “InGaN” kvant çuxurlu LED –lərin dalğa uzunluğu yaşıl oblasta tərəf sürüşdükcə onların daxili kvant effektivliyi azalır və bu da hazırkı araşdırmaların aktual problemi olaraq (“yaşıl zona problemi” ) intensiv tədqiq olunur. Bu problemin iki əsas səbəb nəticəsində yarandığını önə çəkən R.Cabbarovun sözlərinə görə, onlardan biri uzun dalğa oblastlı “InGaN” kvant çuxurunda indium atomlarının miqdarı artdıqca qəfəs parametrlərinin uyğunsuzluğunun artmasıdır. Bu da öz növbəsində deffektlərin sıxlığını artırır və şüalanmasız keçidləri sürətləndirir. Digər ikinci səbəb isə qəfəs parametrlərinin uyğunsuzluğunun kvant çuxurunun deformasiyasına gətirib çıxarmasıdır.
 
 
R.Cabbarov qeyd edib ki, “GaN”, “InN”, “AlN”  birləşmələrində N – atomları güclü pyozeelektrik olduqlarından  daxili elektrik sahəsi yaradır. Bu da elektron və deşiklərin dalğa funksiyalarının kəsişməsini azaldır. O üzdən rekombinasiya şüalanma sürəti azalır ki, bu da yaşıl oblastda daxili kvant effektivliyinin artmasına imkan vermir. Alimlərin bu istiqamətdə qarşılaşdığı problemlərdən çıxış yollarını açıqlayan R.Cabbarov hesab edir ki, çıxış yolu kimi (11-22) istiqamətində yarımpolyar “InGaN/GaN” və “InGaN/InGaN” kvant çuxurlu LED strukturları yetişdirilir və tədqiq olunur:
 
“Bu da bizə sadaladığımız problemləri aradan qaldırmağa imkan verir.  Alınan strukturda TEM analizləri aparılmışdır”.
 
 
Yüksək Texnologiyalar üzrə Tədqiqat Mərkəzinin əməkdaşı daha sonra əlavə edib ki, epitaksial təbəqələr optik litoqrafiya, quru aşılama, dielektrik maska texnologiyalarının vasitəsilə hazırlandıqdan sonra  aşağı təzyiqli MOCVD reaktorunda yetişdirilərək  yarımpolyar LED strukturu şəklini alır. Onun sözlərinə görə, alınan LED strukturunun daxili kvant effektivliyi,  PL,  EL  xassələri tədqiq olunub.
 
 
Qeyd edək ki, bu konfrans hər il İstanbulda düzənlənir və əməkdaşlar hər il məruzə ilə çıxış edirlər.
 
 
Ümumiyyətlə, konfrans LED çip və LED aydınlatmasını tam əhatə edir və beynəlxalq sərgi ilə nümayiş olunur  (www.ledkonferansi.com) .
 
Məlumat üçün bildirək ki, konfrans “VESTEL” və “PELSAN” şirkətlərinin platin sponsorluğu ilə baş tutub.
 
 
Seymur Qasımbəyli



Baxış sayı: 447

© İstifadə edilərkən İctnews-a istinad olunmalıdır

Facebook Google Favorites.Live BobrDobr Delicious Twitter Propeller Diigo Yahoo Memori MoeMesto






24 Yanvar 2017

23 01 2017

23/01/17
Rabitə və yüksək texnologiyalar naziri Sumqayıtda vətəndaşlarla görüşəcək

Rabitə və yüksək texnologiyalar naziri Ramin Quluzadə  27.01.2017-ci il tarixdə saat  12:00-da Sumqayıt

23/01/17
“Samsung” görmə problemli insanlara kömək edəcək

Hazırda dünyada təxminən 300 milyon insan rəng korluğu xəstəliyindən əziyyət çəkir. Hər gün belə insanlar müəyyən 

23/01/17
Yaponiyada qoxunun ötürülməsi üçün virtual reallıq qurğusu yaradıblar

Vaxt ötdükcə virtual reallıq texnologiyaları adiləşir: artıq hamıya məlum virtual reallıq şlemi və ya əlcəkdən başqa bazara 

23/01/17
“LG G6” smartfonunun təqdimat vaxtı açıqlanıb

Cənubi Koreyanın elektronika nəhəngi “LG Electronics” şirkətinin yeni qabaqcıl “LG G6‍” smartfonunun rəsmi 

23/01/17
“5G” şəbəkələrinin dünya iqtisadiyyatına təsiri öyrənilib

“Qualcomm” şirkəti beşinci nəsil mobil rabitə şəbəkələrinin (5G) dünya iqtisadiyyatına və sosial aspektlərə təsirinə 

23/01/17
Rekord dərəcədə sürətli yaddaş elementi yaradılıb

Polşanın Belostok Universiteti və Niderlandın Radbud Universitetinin fizikləri informasiya bitini rekord dərəcədə sürətli 

23/01/17
Qrafen müqaviməti sıfıra bərabər materiala çevrilib

Kembric Universitetinin tədqiqatçıları qrafeni yüksək keçiriciyə - müqavimət qabiliyyəti sıfıra yaxın materiala çevirmə

23/01/17
Silikon robot ürək döyüntüsünə kömək edəcək

Harvard Universitetinin mütəxəssisləri Boston Uşaq Xəstəxanasının həkimləri ilə birlikdə ürək çatışmazlığı olan 

23/01/17
Yeni “iPad” planşetlərinin nümayişi bu ilin ikinci yarısında olacaq

Yeni “Apple iPad” planşet kompüter modellərinin təqdimatı əvvəllər nəzərdə tutulduğu kimi, 2017-ci ilin martında deyil, 

23/01/17
“Samsung” şirkəti “Galaxy Note 7” smartfonlarının partlama səbəbini açıqlayıb

“Samsung” korporasiyasının Seulda yerləşən mənzil-qərargahında keçirilmiş mətbuat konfransında “Galaxy Note 7” 

23/01/17
Məlumatların saxlanılması və işlənməsini bir elementdə birləşdirən çip yaradılıb

Fərdi kompüter arxitekturası (informasiya bir modulda saxlanılır, hesablamalar başqa modulda həyata keçirilir