12px13px15px17px
Tarix:07/10/15

Türkiyədə keçirilən beynəlxalq konfransda Azərbaycanın nanotexnologiyalar üzrə apardığı araşdırmalar barəsində məlumat verilib

Türkiyənin İstanbul şəhərində 7-ci Beynəlxalq LED və LED işıqlandırma konfransı keçirilib. Bu ayın 1-4 tarixlərində düzənlənən tədbirdə Rabitə və Yüksək Texnologiyalar Nazirliyinin nəzdində fəaliyyət göstərən Yüksək Texnologiyalar üzrə Tədqiqat Mərkəzinin əməkdaşı Rasim Cabbarov iştirak edib.
 
 
 Konfransda LED çip texnologiyası və tətbiqləri mövzusunda plenar iclasda məruzə ilə çıxış edən R.Cabbarov tədbir iştirakçılarının diqqətini daxili kvant effektivliyinin azalmasına yönəldib.
 
 
O bildirib ki, “InGaN” kvant çuxurlu LED –lərin dalğa uzunluğu yaşıl oblasta tərəf sürüşdükcə onların daxili kvant effektivliyi azalır və bu da hazırkı araşdırmaların aktual problemi olaraq (“yaşıl zona problemi” ) intensiv tədqiq olunur. Bu problemin iki əsas səbəb nəticəsində yarandığını önə çəkən R.Cabbarovun sözlərinə görə, onlardan biri uzun dalğa oblastlı “InGaN” kvant çuxurunda indium atomlarının miqdarı artdıqca qəfəs parametrlərinin uyğunsuzluğunun artmasıdır. Bu da öz növbəsində deffektlərin sıxlığını artırır və şüalanmasız keçidləri sürətləndirir. Digər ikinci səbəb isə qəfəs parametrlərinin uyğunsuzluğunun kvant çuxurunun deformasiyasına gətirib çıxarmasıdır.
 
 
R.Cabbarov qeyd edib ki, “GaN”, “InN”, “AlN”  birləşmələrində N – atomları güclü pyozeelektrik olduqlarından  daxili elektrik sahəsi yaradır. Bu da elektron və deşiklərin dalğa funksiyalarının kəsişməsini azaldır. O üzdən rekombinasiya şüalanma sürəti azalır ki, bu da yaşıl oblastda daxili kvant effektivliyinin artmasına imkan vermir. Alimlərin bu istiqamətdə qarşılaşdığı problemlərdən çıxış yollarını açıqlayan R.Cabbarov hesab edir ki, çıxış yolu kimi (11-22) istiqamətində yarımpolyar “InGaN/GaN” və “InGaN/InGaN” kvant çuxurlu LED strukturları yetişdirilir və tədqiq olunur:
 
“Bu da bizə sadaladığımız problemləri aradan qaldırmağa imkan verir.  Alınan strukturda TEM analizləri aparılmışdır”.
 
 
Yüksək Texnologiyalar üzrə Tədqiqat Mərkəzinin əməkdaşı daha sonra əlavə edib ki, epitaksial təbəqələr optik litoqrafiya, quru aşılama, dielektrik maska texnologiyalarının vasitəsilə hazırlandıqdan sonra  aşağı təzyiqli MOCVD reaktorunda yetişdirilərək  yarımpolyar LED strukturu şəklini alır. Onun sözlərinə görə, alınan LED strukturunun daxili kvant effektivliyi,  PL,  EL  xassələri tədqiq olunub.
 
 
Qeyd edək ki, bu konfrans hər il İstanbulda düzənlənir və əməkdaşlar hər il məruzə ilə çıxış edirlər.
 
 
Ümumiyyətlə, konfrans LED çip və LED aydınlatmasını tam əhatə edir və beynəlxalq sərgi ilə nümayiş olunur  (www.ledkonferansi.com) .
 
Məlumat üçün bildirək ki, konfrans “VESTEL” və “PELSAN” şirkətlərinin platin sponsorluğu ilə baş tutub.
 
 
Seymur Qasımbəyli



Baxış sayı: 578

© İstifadə edilərkən İctnews-a istinad olunmalıdır

Facebook Google Favorites.Live BobrDobr Delicious Twitter Propeller Diigo Yahoo Memori MoeMesto






18 Oktyabr 2017

18/10/17
“Windows” üçün “Chrome” brauzerində daxili antivirus istifadəyə verilib

“Google” şirkəti “Windows” üçün “Chrome” brauzerinin masaüstü versiyası ilə müasir

18/10/17
Qeyri-adi dizayna malik iki ekranlı smartfon təqdim edilib

Çinin “ZTE” şirkəti “Axon M” adlı smartfonunu təqdim edib. Bu aparat analoji qurğulardan qeyri-adi dizaynı 

18/10/17
2018-ci ildə qlobal fərdi kompüter bazarında artım qeydə alınacaq

“Gartner” analitik şirkətinin mütəxəssislərinin proqnozuna görə, 2018-ci ildə korporativ seqmentdə kompüter 

17 10 2017

17/10/17
“ATSC 3.0” standartlı ilk efir televiziya yayım şəbəkəsi istifadəyə verilib

Cənubi Koreyanın “Seoul Broadcasting System” (SBS), “Korean Broadcasting System” (KBS) və “Munhwa 

17/10/17
Yeni “ağıllı” qurğu itən əşyaları axtaracaq

“Samsung” şirkəti itən əşyaları axtarmağa imkan verən “ağıllı” “Connect Tag” brelokunu təqdim edib. 

17/10/17
Smartfonlar üçün ilk “5G” modem təqdim edilib

“Qualcomm Technologies” şirkəti mobil qurğular üçün “5G” şəbəkəsində rabitə üçün ilk modem

17/10/17
Yeni “Huawei” smartfonları rəsmən təqdim olunub

“Huawei” şirkəti Münhendə keçirilən təqdimatda yeni qabaqcıl “Mate 10” və “Mate 10 Pro” smartfonlarını

17/10/17
“Android” sistemi ilə işləyən smartfonların 41%-i dağıdıcı "Wi-Fi” hücumu qarşısında dayanıqsızdır

“Wi-Fi” şifrləmə protokolunda aşkar edilmiş təhlükəli boşluq nəticəsində “Android” sistemi ilə işləyən 

17/10/17
Yeni “Samsung” smartfonlarının videosu dərc edilib

“MySmartPrice” resursu rəsmən təqdim edilməyən “Samsung Galaxy A5” (2018) və “Galaxy A7” (2018) 

17/10/17
“Xiaomi” şirkəti “Redmi 5A” smartfonunu təqdim edib

Çinin “Xiaomi” elektronika istehsalçısı yeni “Redmi 5A” smartfonunu təqdim edib. Qurğu teksturası