Дата:03/12/11

IBM и Micron начинают производство памяти нового типа

Компании IBM и Micron приступают к изготовлению инновационной памяти Hybrid Memory Cube (HMC) для компьютерных устройств следующего поколения.

 

Изделия HMC будут изготавливаться на заводе IBM в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк) по методике HKMG, которая основана на использовании диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) и транзисторов с металлическими затворами (metal gate). Технологические нормы — 32 нанометра.

 

Для модулей памяти HMC предусмотрено применение технологии TSV (Through-Silicon Via), суть которой в формировании в кремниевых подложках миниатюрных отверстий, заполняемых медью.

 

Такие каналы играют роль проводников, что позволяет создавать многоярусные чипы. В результате существенно повышается плотность хранения информации. Многослойные модули HMC состоят из кристаллов DRAM, дополненных высокопроизводительной управляющей логикой.

 

По заявлениям разработчиков, по сравнению с обычными микросхемами памяти изделия HMC обеспечивают увеличение пропускной способности в 10–15 раз (до 128 Гб/с) и снижение энергопотребления на 70%. Занимаемая модулем площадь при этом меньше в 10 раз.

Просмотры: 675

При использовании ссылка на ictnews.az обязательна