Дата:10/01/12
Согласно условиям соглашения, GlobalFoundries будет использовать для производства свой завод Fab 8, где полномасштабное производство будет развернуто во второй половине 2012 года.
Тестовые образцы чипов IBM уже недавно начала производить на собственном заводе в Ист-Фишкилл, где также выпускаются 300-миллиметровые кремниевые подложки для микрочипов.
Новые совместные чипы будут базироваться на 32-нанометровой технологии Silicon-On-Insulator, которая ранее уже была разработана в сотрудничестве GlobalFoundries и IBM.
Сейчас компании заявляют, что новые технологии помогут в будущем выпускать процессоры с еще большим количеством вычислительных ядер и более высокой производительностью.
Сейчас компании говорят о сотрудничестве в области 32-нанометровых чипов, однако в перспективе обе стороны заинтересованы в продлении соглашения с целью разработки более продвинутых 28-нанометровых чипов, использующих фирменные технологии High-K Metal Gate по выпуску нового типа процессорных транзисторов с более быстрыми затворами для ускоренного переключения в процессе работы.
Кроме того, стороны договорились интегрировать в чипы технологию IBM eDRAM (embedded dynamic random access memory) позволяющую размещать дополнительные объемы памяти прямо на центральном процессоре, что позволяет добиться роста производительности последнего.
IBM и GlobalFoundries подписали соглашение о совместном выпуске микрочипов
Компании IBM и GlobalFoundries сегодня сообщили о подписании соглашения о совместном производстве нового поколения компьютерных чипов на заводах двух компаний в американском штате Нью-Йорк.Согласно условиям соглашения, GlobalFoundries будет использовать для производства свой завод Fab 8, где полномасштабное производство будет развернуто во второй половине 2012 года.
Тестовые образцы чипов IBM уже недавно начала производить на собственном заводе в Ист-Фишкилл, где также выпускаются 300-миллиметровые кремниевые подложки для микрочипов.
Новые совместные чипы будут базироваться на 32-нанометровой технологии Silicon-On-Insulator, которая ранее уже была разработана в сотрудничестве GlobalFoundries и IBM.
Сейчас компании заявляют, что новые технологии помогут в будущем выпускать процессоры с еще большим количеством вычислительных ядер и более высокой производительностью.
Сейчас компании говорят о сотрудничестве в области 32-нанометровых чипов, однако в перспективе обе стороны заинтересованы в продлении соглашения с целью разработки более продвинутых 28-нанометровых чипов, использующих фирменные технологии High-K Metal Gate по выпуску нового типа процессорных транзисторов с более быстрыми затворами для ускоренного переключения в процессе работы.
Кроме того, стороны договорились интегрировать в чипы технологию IBM eDRAM (embedded dynamic random access memory) позволяющую размещать дополнительные объемы памяти прямо на центральном процессоре, что позволяет добиться роста производительности последнего.
Просмотры: 796
При использовании ссылка на ictnews.az обязательнаПохожие новости
- Facebook использовал против Google черный пиар
- Изменения климата могут влиять на работу Wi-Fi
- Мировой рынок ит-услуг окончательно отправился от кризиса
- Nielsen: доля Android снизилась с США
- Google: Chrome OS не предназначена для планшетов
- Билл Гейтс поможет африканским фермерам советами по телефону
- В 2015 г. Будет выпущен миллиард смартфонов
- Google приобрела компанию AdMeld, специализирующуюся на баннерной рекламе
- Samsung оснастит планшетами корейские школы и американские самолеты
- Nokia выиграла все патентные споры с Apple
- В Баку состоится международный симпозиум по нанотехнологиям
- Китайский суд дал срок изготовителю поддельных iPad
- Acer сократит в Европе 300 человек
- Российский рынок WiMAX вырос в 2010 году в 3,3 раза
- Институт информационных технологий планирует предоставление услуг «облачных вычислений»