Дата:23/01/17

Создан рекордно быстрый элемент памяти

Физики из Университета Белостока (Польша) и Университета Радбуда (Голландия) разработали память с рекордно быстрым временем записи и чтения бита — менее 20 пикосекунд (соответствует 50 гигабитам в секунду). Эта величина превосходит современную флеш-память по меньшей мере в 500 раз. В основе устройства лежит запись магнитных состояний с помощью оптических импульсов. По словам авторов, помимо большой скорости работы, память требует очень малой энергии на переключение из состояния «0» в состояние «1» — примерно в миллиард раз меньше, чем в жестких дисках и флеш-памяти.

Один из подходов к ускорению элементов памяти — переход от магнитной (HDD) или электрической (Flash) записи к магнитооптической. Под действием определенных лазерных импульсов домены магнитных материалов могут изменять свою намагниченность, а коэрцитивные силы в магнетиках не позволяют этой намагниченности исчезнуть. Но одновременно с этим материалы эффективно поглощают оптическое излучение и нагреваются из-за этого. Нагрев свыше определенной температуры (точки Кюри) разрушает магнитное упорядочение в материале, что приводит к потере записанной информации. С этими проблемами сталкивались физики, пытавшиеся создать подобную память на основе сплавов металлов.

Авторы новой работы нашли материал, в котором энергия, необходимая для переключения магнитного состояния, гораздо меньше, чем требуемая для нагрева до температура Кюри. Им оказался иттрий-железный гранат, в котором часть атомов железа заменена атомами кобальта. Это оптически прозрачный материал, не проводящий электрический ток, сообщает https://nplus1.ru.

Просмотры: 335

При использовании ссылка на ictnews.az обязательна