Дата:01/06/11

Samsung представляет быструю 20 нм флэш-память

Компания Samsung нередко представляет уникальные разработки в области микросхем памяти и ведёт свои научные исследования. Тем самым, крупной компании удаётся оставаться на технологическом “гребне волны”, не отставая от конкурентов. Как стало известно, в настоящее время Samsung уже строит планы о глобальном переходе продукции на новые микросхемы NAND флэш-памяти с плотностью 64 Гбит, выполненные по нормам 20 нм техпроцесса.
Кроме того, это первые чипы, которые станут использовать MLC-ячейки памяти совместно с внутренним интерфейсом Toggle DDR2, что значительно повысит скорость передачи информации. В таких устройствах, как твёрдотельные накопители, которые используются в самых различных устройствах, это качество будет особенно востребовано. Интерфейс Toggle DDR2 позволяет передавать информацию со скоростью вплоть до 400 Мбит/с, что примерно в десять раз быстрее предшественников.
Новые микросхемы памяти найдут своё место в смартфонах, планшетах, SSD и другой схожей продукции, предлагая при этом большую ёмкость и скорость работы. Ждать перехода на новый тип NAND флэш-памяти осталось недолго. Как отмечено в презентации, компания iSuppli построила прогноз, по расчётам которого уже в 2012 году лидирующими чипами памяти на рынке станут микросхемы с плотностью 64 Гбит.

Просмотры: 1991

При использовании ссылка на ictnews.az обязательна