Дата:05/09/16
Новый вид памяти получил название двухтерминального туннельного запоминающего устройства с произвольным доступом (TRAM). В основе TRAM лежит двухмерный атомарный слой кристаллов: полупроводника дисульфида молибдена (MoS2) с двумя электродами (источник и канал) и изолятора из гексагонального нитрида бора (h-BN) и графена. Хранение данных обеспечивается за счет удержания электронов на графене.
В ходе работы TRAM изменение напряжения между электродами приводит к туннелированию электронов из канала к гибкому графеновому слою через изолятор h-BN. Когда графен приобретает отрицательный заряд, данные записываются, когда заряд становится положительным, информация удаляется. Таким образом, значения 0 (запись) и 1 (удаление) осуществляются в новом виде памяти путем протекания заряда через слои.
Добиться эффекта удалось благодаря необходимой толщине изолирующего слоя — 7,5 нанометра. Этот уровень препятствовал утечке энергии и увеличению жесткости графена. В рамках испытаний авторы изготовили TRAM на разных подложках: из гибкой пластмассы (PET) и полидиметилсиоксана (PDMS). Напряжение в образцах достигало 0,5 и 20 процентов соответственно. По сравнению с традиционными видами памяти — RAM и PRAM — TRAM показал лучшую производительность.
Ожидается, что эластичное запоминающее устройство найдет применение в сфере гибкой электроники. В частности, TRAM может использоваться для хранения данных, передаваемых со смартфонов.
Графен - этот материал прочнее стали и настолько тонок, что его можно считать практически двухмерным. Толщина графеновой решетки составляет один атом, это в миллион раз тоньше бумаги. Сам по себе графен был открыт еще в 2004 году. Он представляет собой наноматериал, состоящий из единичного слоя атомов углерода, соединенных между собой химическими связями; обладает высокой электропроводностью, прочностью и гибкостью. Из-за толщины в несколько нанометров он практически прозрачен для видимого света, а потому является очень перспективным для применения в микроэлектронных устройствах. Гаджеты будущего на его основе окажутся куда более устойчивыми к повреждениям, чем то, что мы имеем сейчас.
Использование графена также может помочь в создании компактных и гибких источников питания, которые можно будет вставлять в одежду или использовать для создания изогнутых мобильных устройств, сообщает Naked Science.
Корейцы сделали гибкое запоминающее устройство на графене
Группа ученых из Южной Кореи разработала гибкое запоминающее устройство на основе графена.Новый вид памяти получил название двухтерминального туннельного запоминающего устройства с произвольным доступом (TRAM). В основе TRAM лежит двухмерный атомарный слой кристаллов: полупроводника дисульфида молибдена (MoS2) с двумя электродами (источник и канал) и изолятора из гексагонального нитрида бора (h-BN) и графена. Хранение данных обеспечивается за счет удержания электронов на графене.
В ходе работы TRAM изменение напряжения между электродами приводит к туннелированию электронов из канала к гибкому графеновому слою через изолятор h-BN. Когда графен приобретает отрицательный заряд, данные записываются, когда заряд становится положительным, информация удаляется. Таким образом, значения 0 (запись) и 1 (удаление) осуществляются в новом виде памяти путем протекания заряда через слои.
Добиться эффекта удалось благодаря необходимой толщине изолирующего слоя — 7,5 нанометра. Этот уровень препятствовал утечке энергии и увеличению жесткости графена. В рамках испытаний авторы изготовили TRAM на разных подложках: из гибкой пластмассы (PET) и полидиметилсиоксана (PDMS). Напряжение в образцах достигало 0,5 и 20 процентов соответственно. По сравнению с традиционными видами памяти — RAM и PRAM — TRAM показал лучшую производительность.
Ожидается, что эластичное запоминающее устройство найдет применение в сфере гибкой электроники. В частности, TRAM может использоваться для хранения данных, передаваемых со смартфонов.
Графен - этот материал прочнее стали и настолько тонок, что его можно считать практически двухмерным. Толщина графеновой решетки составляет один атом, это в миллион раз тоньше бумаги. Сам по себе графен был открыт еще в 2004 году. Он представляет собой наноматериал, состоящий из единичного слоя атомов углерода, соединенных между собой химическими связями; обладает высокой электропроводностью, прочностью и гибкостью. Из-за толщины в несколько нанометров он практически прозрачен для видимого света, а потому является очень перспективным для применения в микроэлектронных устройствах. Гаджеты будущего на его основе окажутся куда более устойчивыми к повреждениям, чем то, что мы имеем сейчас.
Использование графена также может помочь в создании компактных и гибких источников питания, которые можно будет вставлять в одежду или использовать для создания изогнутых мобильных устройств, сообщает Naked Science.
Просмотры: 410
При использовании ссылка на ictnews.az обязательнаПохожие новости
- Samsung представляет быструю 20 нм флэш-память
- В Азербайджане планируется создание испытательной лаборатории для сотовых телефонов
- Вся территория республики перейдет на цифровое вещание
- Apple Mac OS X 10.7 Lion
- OCZ показала гибридный накопитель
- Apple готовится к выпуску новых версий ноутбуков MacBook Air
- AMD представила процессоры нового поколения
- В Индии выпустили планшет за $50
- Intel готовит новые твердотельные диски корпоративного класса
- В Японии появился гигантский OLED-глобус (ВИДЕО)
- Apple может выпустить iPad третьего поколения до конца года
- Google, представит новый смартфон Nexus осенью
- Новая технология позволяет передавать данные по беспроводной связи без батареи
- В этом году будет выпущено 80 млн. устройств с поддержкой USB 3.0
- A-Data S511: быстрые твердотельные диски вместимостью до 480 Гб