



Дата:05/09/16
Группа ученых из Южной Кореи разработала гибкое запоминающее устройство на основе графена.
Новый вид памяти получил название двухтерминального туннельного запоминающего устройства с произвольным доступом (TRAM). В основе TRAM лежит двухмерный атомарный слой кристаллов: полупроводника дисульфида молибдена (MoS2) с двумя электродами (источник и канал) и изолятора из гексагонального нитрида бора (h-BN) и графена. Хранение данных обеспечивается за счет удержания электронов на графене.
В ходе работы TRAM изменение напряжения между электродами приводит к туннелированию электронов из канала к гибкому графеновому слою через изолятор h-BN. Когда графен приобретает отрицательный заряд, данные записываются, когда заряд становится положительным, информация удаляется. Таким образом, значения 0 (запись) и 1 (удаление) осуществляются в новом виде памяти путем протекания заряда через слои.
Добиться эффекта удалось благодаря необходимой толщине изолирующего слоя — 7,5 нанометра. Этот уровень препятствовал утечке энергии и увеличению жесткости графена. В рамках испытаний авторы изготовили TRAM на разных подложках: из гибкой пластмассы (PET) и полидиметилсиоксана (PDMS). Напряжение в образцах достигало 0,5 и 20 процентов соответственно. По сравнению с традиционными видами памяти — RAM и PRAM — TRAM показал лучшую производительность.
Ожидается, что эластичное запоминающее устройство найдет применение в сфере гибкой электроники. В частности, TRAM может использоваться для хранения данных, передаваемых со смартфонов.
Графен - этот материал прочнее стали и настолько тонок, что его можно считать практически двухмерным. Толщина графеновой решетки составляет один атом, это в миллион раз тоньше бумаги. Сам по себе графен был открыт еще в 2004 году. Он представляет собой наноматериал, состоящий из единичного слоя атомов углерода, соединенных между собой химическими связями; обладает высокой электропроводностью, прочностью и гибкостью. Из-за толщины в несколько нанометров он практически прозрачен для видимого света, а потому является очень перспективным для применения в микроэлектронных устройствах. Гаджеты будущего на его основе окажутся куда более устойчивыми к повреждениям, чем то, что мы имеем сейчас.
Использование графена также может помочь в создании компактных и гибких источников питания, которые можно будет вставлять в одежду или использовать для создания изогнутых мобильных устройств, сообщает Naked Science.
Корейцы сделали гибкое запоминающее устройство на графене

Новый вид памяти получил название двухтерминального туннельного запоминающего устройства с произвольным доступом (TRAM). В основе TRAM лежит двухмерный атомарный слой кристаллов: полупроводника дисульфида молибдена (MoS2) с двумя электродами (источник и канал) и изолятора из гексагонального нитрида бора (h-BN) и графена. Хранение данных обеспечивается за счет удержания электронов на графене.
В ходе работы TRAM изменение напряжения между электродами приводит к туннелированию электронов из канала к гибкому графеновому слою через изолятор h-BN. Когда графен приобретает отрицательный заряд, данные записываются, когда заряд становится положительным, информация удаляется. Таким образом, значения 0 (запись) и 1 (удаление) осуществляются в новом виде памяти путем протекания заряда через слои.
Добиться эффекта удалось благодаря необходимой толщине изолирующего слоя — 7,5 нанометра. Этот уровень препятствовал утечке энергии и увеличению жесткости графена. В рамках испытаний авторы изготовили TRAM на разных подложках: из гибкой пластмассы (PET) и полидиметилсиоксана (PDMS). Напряжение в образцах достигало 0,5 и 20 процентов соответственно. По сравнению с традиционными видами памяти — RAM и PRAM — TRAM показал лучшую производительность.
Ожидается, что эластичное запоминающее устройство найдет применение в сфере гибкой электроники. В частности, TRAM может использоваться для хранения данных, передаваемых со смартфонов.
Графен - этот материал прочнее стали и настолько тонок, что его можно считать практически двухмерным. Толщина графеновой решетки составляет один атом, это в миллион раз тоньше бумаги. Сам по себе графен был открыт еще в 2004 году. Он представляет собой наноматериал, состоящий из единичного слоя атомов углерода, соединенных между собой химическими связями; обладает высокой электропроводностью, прочностью и гибкостью. Из-за толщины в несколько нанометров он практически прозрачен для видимого света, а потому является очень перспективным для применения в микроэлектронных устройствах. Гаджеты будущего на его основе окажутся куда более устойчивыми к повреждениям, чем то, что мы имеем сейчас.
Использование графена также может помочь в создании компактных и гибких источников питания, которые можно будет вставлять в одежду или использовать для создания изогнутых мобильных устройств, сообщает Naked Science.
Просмотры: 422
При использовании ссылка на ictnews.az обязательнаПохожие новости
- Samsung представляет быструю 20 нм флэш-память
- В Азербайджане планируется создание испытательной лаборатории для сотовых телефонов
- Вся территория республики перейдет на цифровое вещание
- Apple Mac OS X 10.7 Lion
- OCZ показала гибридный накопитель
- Apple готовится к выпуску новых версий ноутбуков MacBook Air
- AMD представила процессоры нового поколения
- В Индии выпустили планшет за $50
- Intel готовит новые твердотельные диски корпоративного класса
- В Японии появился гигантский OLED-глобус (ВИДЕО)
- Apple может выпустить iPad третьего поколения до конца года
- Google, представит новый смартфон Nexus осенью
- Новая технология позволяет передавать данные по беспроводной связи без батареи
- В этом году будет выпущено 80 млн. устройств с поддержкой USB 3.0
- A-Data S511: быстрые твердотельные диски вместимостью до 480 Гб