12px13px15px17px
Дата:25/11/11

Elpida представила микросхемы памяти нового поколения для мобильных устройств

Японская компания Elpida Memory объявила о разработке 4-гигабитных (4 Гбит) микросхем памяти DDR3 Mobile RAM (LPDDR3), произведённых по 30-нанометровой технологии.

 

По утверждениям Elpida, новые изделия обеспечивают вдвое более высокую скорость передачи данных по сравнению с нынешней памятью DDR2 Mobile RAM (LPDDR2).

 

Пропускная способность LPDDR3 составляет 6,4 Гб/с; в конфигурации из двух микросхем этот показатель возрастает до 12,8 Гб/с. Напряжение питания — 1,2 В. Представленные изделия предназначены для использования в мобильных устройствах, в частности планшетных компьютерах и смартфонах.

 

Elpida отмечает, что при сопоставимом с LPDDR2 быстродействии микросхемы LPDDR3 позволяют добиться 25-процентного снижения потребляемой энергии, что экономит заряд аккумуляторной батареи.

 

Пробные образцы 30-нанометровых микросхем памяти LPDDR3 начнут поставляться к концу года; массовое производство стартует не ранее второй половины 2012-го.





Просмотры: 765

При использовании ссылка на ictnews.az обязательна

Facebook Google Favorites.Live BobrDobr Delicious Twitter Propeller Diigo Yahoo Memori MoeMesto






15 Апрель 2024

14 04 2024