Дата:07/12/11
Размеры чипов таковы, что они могут уместиться на кончике пальца.Совместное предприятие двух компаний - IM Flash Technologies - сегодня сообщило о начале производства первых в мире 20-нанометровых чипов, использующих 128-гигабитные MLC-подложки (Multi Levell Cell).
Новые 20-нанометровые представляют собой чипы самой высокой емкости и плотности записи в отрасли. Новинки предназначены для использования в планшетах, смартфонах и различных портативных электронных устройствах.
До сих пор IM Flash Technologies использовала 25-нанометровый литографический процесс для производства подложек на 64 Гбита данных. Сейчас эти чипы применяются во многих SSD-накопителях.
Что касается новых 20-нанометровых чипов, то их тестовые образцы станут доступны для производителей в январе 2012 года, а массовые поставки готовых чипов флеш-памяти для устройств начнутся к середине 2012 года.
В заявлении IM Flash говорится, что переход на более современную и продвинутую технологию позволит существенно снизить стоимость производства кремниевых подложек для "нарезки" будущих чипов памяти.
Ожидается, что готовые образцы продукции будет поддерживать интерфейс Open NAND Flash Interface 3.0, предлагая производительность до 333 мегатрансферов в секунду.
Intel и Micron Technology начинают выпуск 20-нанометровой флеш-памяти
Intel и Micron Technology сегодня анонсировали, что их совместное предприятие по выпуску чипов флеш-памяти формата NAND начало использовать новые технологические нормы, позволяющие создавать чипы памяти в 128 Гбайт данных.Размеры чипов таковы, что они могут уместиться на кончике пальца.Совместное предприятие двух компаний - IM Flash Technologies - сегодня сообщило о начале производства первых в мире 20-нанометровых чипов, использующих 128-гигабитные MLC-подложки (Multi Levell Cell).
Новые 20-нанометровые представляют собой чипы самой высокой емкости и плотности записи в отрасли. Новинки предназначены для использования в планшетах, смартфонах и различных портативных электронных устройствах.
До сих пор IM Flash Technologies использовала 25-нанометровый литографический процесс для производства подложек на 64 Гбита данных. Сейчас эти чипы применяются во многих SSD-накопителях.
Что касается новых 20-нанометровых чипов, то их тестовые образцы станут доступны для производителей в январе 2012 года, а массовые поставки готовых чипов флеш-памяти для устройств начнутся к середине 2012 года.
В заявлении IM Flash говорится, что переход на более современную и продвинутую технологию позволит существенно снизить стоимость производства кремниевых подложек для "нарезки" будущих чипов памяти.
Ожидается, что готовые образцы продукции будет поддерживать интерфейс Open NAND Flash Interface 3.0, предлагая производительность до 333 мегатрансферов в секунду.
Просмотры: 869
При использовании ссылка на ictnews.az обязательнаПохожие новости
- Samsung представляет быструю 20 нм флэш-память
- В Азербайджане планируется создание испытательной лаборатории для сотовых телефонов
- Вся территория республики перейдет на цифровое вещание
- Apple Mac OS X 10.7 Lion
- OCZ показала гибридный накопитель
- Apple готовится к выпуску новых версий ноутбуков MacBook Air
- AMD представила процессоры нового поколения
- В Индии выпустили планшет за $50
- Intel готовит новые твердотельные диски корпоративного класса
- В Японии появился гигантский OLED-глобус (ВИДЕО)
- Apple может выпустить iPad третьего поколения до конца года
- Google, представит новый смартфон Nexus осенью
- Новая технология позволяет передавать данные по беспроводной связи без батареи
- В этом году будет выпущено 80 млн. устройств с поддержкой USB 3.0
- A-Data S511: быстрые твердотельные диски вместимостью до 480 Гб