Дата:22/12/11
Предполагается, что данные чипы полностью откажутся от медных соединений, несколько изменят конфигурацию и перейдут на оптические внутренние канала связи. Авторы разработки говорят, что предлагаемые чипы станут первыми в своем роде.
Сейчас в проекте под названием RAMPLAS принимают участие шесть европейских университетов, получивших несколько миллионов евро от Евросоюза в рамках программы FP7 (Seventh Framework Programme).
Разработчики технологии говорят, что в новых чипах памяти предполагается объединить две технологии - используемую сейчас SOI (Silicon on Insulator) и сравнительно новую технологию "фотонной интеграции".
Группа специалистов из Германии, Нидерландов, Греции и Финляндии говорит, что в новых модулях памяти предлагается в значительной степени пересмотреть сам принцип работы оперативной памяти, чтобы она стала в десятки раз более производительной и могла в полной мере быть хорошим технологическим тандемом для современных и будущих многоядерных микропроцессоров.
Авторы разработки говорят, что в будущем их чипы можно будет использовать в "ультра-быстрых компьютерных архитектурах", которые должны работать в режиме реального времени с большими объемами данных.
"За последние два десятилетия микропроцессоры прошли огромный путь развития, тогда модули оперативной памяти концептуально не изменились и уже сейчас производительность модулей ОЗУ во многих случаях является сдерживающим моментом.
Мы намерены избавить оперативную память от ярлыка "бутылочного горлышка" в компьютерных и серверных системах", - говорится в заявлении Технического Университета Германии в Берлине.
По словам авторов разработки, новые чипы будут полагаться на фотонные эффекты, а потому практически не будут сталкиваться с таким эффектом, как электрическое сопротивление, что имеет сразу несколько плюсов: во-первых, модули будут потреблять меньше электроэнергии, во-вторых они практически не будут нагреваться во время работы, в-третьих, они будут передавать данные практически со скоростью, которая в принципе возможна по физическим характеристикам.
Конструктивно в новых чипах будут задействованы технологии, применяемые сейчас для работы вычислительных кластеров, многоядерных вычислений и "ассоциированной кеш-памяти".
Евпропейские инженеры создают RAM-память нового поколения
Команда европейских инженеров работает над экспериментальными чипами RAM-памяти, пропускная способность которых составит рекордные 100 Гбит/сек.Предполагается, что данные чипы полностью откажутся от медных соединений, несколько изменят конфигурацию и перейдут на оптические внутренние канала связи. Авторы разработки говорят, что предлагаемые чипы станут первыми в своем роде.
Сейчас в проекте под названием RAMPLAS принимают участие шесть европейских университетов, получивших несколько миллионов евро от Евросоюза в рамках программы FP7 (Seventh Framework Programme).
Разработчики технологии говорят, что в новых чипах памяти предполагается объединить две технологии - используемую сейчас SOI (Silicon on Insulator) и сравнительно новую технологию "фотонной интеграции".
Группа специалистов из Германии, Нидерландов, Греции и Финляндии говорит, что в новых модулях памяти предлагается в значительной степени пересмотреть сам принцип работы оперативной памяти, чтобы она стала в десятки раз более производительной и могла в полной мере быть хорошим технологическим тандемом для современных и будущих многоядерных микропроцессоров.
Авторы разработки говорят, что в будущем их чипы можно будет использовать в "ультра-быстрых компьютерных архитектурах", которые должны работать в режиме реального времени с большими объемами данных.
"За последние два десятилетия микропроцессоры прошли огромный путь развития, тогда модули оперативной памяти концептуально не изменились и уже сейчас производительность модулей ОЗУ во многих случаях является сдерживающим моментом.
Мы намерены избавить оперативную память от ярлыка "бутылочного горлышка" в компьютерных и серверных системах", - говорится в заявлении Технического Университета Германии в Берлине.
По словам авторов разработки, новые чипы будут полагаться на фотонные эффекты, а потому практически не будут сталкиваться с таким эффектом, как электрическое сопротивление, что имеет сразу несколько плюсов: во-первых, модули будут потреблять меньше электроэнергии, во-вторых они практически не будут нагреваться во время работы, в-третьих, они будут передавать данные практически со скоростью, которая в принципе возможна по физическим характеристикам.
Конструктивно в новых чипах будут задействованы технологии, применяемые сейчас для работы вычислительных кластеров, многоядерных вычислений и "ассоциированной кеш-памяти".
Просмотры: 849
При использовании ссылка на ictnews.az обязательнаПохожие новости
- Samsung представляет быструю 20 нм флэш-память
- В Азербайджане планируется создание испытательной лаборатории для сотовых телефонов
- Вся территория республики перейдет на цифровое вещание
- Apple Mac OS X 10.7 Lion
- OCZ показала гибридный накопитель
- Apple готовится к выпуску новых версий ноутбуков MacBook Air
- AMD представила процессоры нового поколения
- В Индии выпустили планшет за $50
- Intel готовит новые твердотельные диски корпоративного класса
- В Японии появился гигантский OLED-глобус (ВИДЕО)
- Apple может выпустить iPad третьего поколения до конца года
- Google, представит новый смартфон Nexus осенью
- Новая технология позволяет передавать данные по беспроводной связи без батареи
- В этом году будет выпущено 80 млн. устройств с поддержкой USB 3.0
- A-Data S511: быстрые твердотельные диски вместимостью до 480 Гб